集电极最大允许电流
 

     在常温下，小功率锗管的人切一般在几百微安以下，小功率硅管在几微安以下。集电极最大允许电流。如果集电极电流过大.电流放大系数p值就要下降一般把尹值下降到规定允许值(比如额定值的1/2-2/3)时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流。

    (1)集电极发射极击穿电压BV。和BVo   "集电极和发射极之间加上的反向电压太高，晶体管就会被击穿。BVc。是指荃极开路时集电极发射极反向击穿的电压" BVca是指基极和发射极之间接有电阻时集电极发射极反向击穿的电压。一般来说，BVCRR > BVCR0。当温度升高的时候，击穿电压要下降.因此，实际加在晶体管集电极发射极上的电压‘佣要小于BVCRn，一般取BV,。的二分之一比较安全。

    (2)集电极最大允许耗散功率PCK。晶体管工作的时候，集电极要耗散功率，耗散的功率越大，集电结的温度就越高。根据晶体管允许的最高温度，定出集电极最大允许耗散功率，在应用的时候，注意集电极实际耗散功率要小于集电极最大允许耗散功率，也就是说，Uce " Ic< PC,,。小功率管的PC，在几十毫瓦几百毫瓦之间，大功率管在1瓦上PC，是由温度决定的，为了提高Pcx，大功率管一般都安装散热片。

    (3)特征颇率介.由于极间电容的影响，电流放大系数夕会随工作颇率的升高而下降，频率越高，尹下降越严重。特征频率fT是当B下降到1时的频率。也就是说，当频率升高到fT的时候，晶体管失去放大能力。了，的大小反映了晶体管频率特性的好坏。在高频电路中.要选用特征频率较高的管子，特征频率一般比工作颇率至少高3倍以上。